申报奖项：中国汽车新供应链百强
申报领域：车规级芯片
申报技术：第5代SiC MOSFET
创新点：高温下导通电阻可降低约30%
技术描述：
罗姆在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。
新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
元股证券:ygzq.hk
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